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B612


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -140/-180V
IC -12A
hFE -
Ptot 100W
fT -
TJ -
der B612 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 140V, Ic = 12A, Anwend: Verstärker- und Schaltstufen, NF- Leistungstransistor
Photo: -
Quelle: 2SB612
Erweiterte Informationen zu B612
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse: TO-3
B612 Datenblatt (jpg):-
B612 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↑2SD582
Ähnliche Typen:2SA1147, [mehr]
2SA1147,2SB645
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2SD582


SI NPN Transistor
Komplementär Typ zu B612
GFX
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IC 12A
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der 2SD582 ist ein komplementärer Silizium NPN Transistor, Uce = 140V, Ic = 12A, Anwend: Leistungstransistor
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Komplementärtyp: 2SD582
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse: TO-3
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Komplementär Typ: ↑2SB612
Ähnliche Typen:BDW14, [mehr]
BDW14,MJ15015,2SC2607,2SC3907
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